由碳與氟反應(yīng),或一氧4化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng),或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng),或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng),都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,在密閉容器中遇高熱有危險(xiǎn),不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。
隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴(kuò)大,光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升,預(yù)計(jì)2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。
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